Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCU600N65S3R0
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1379504FCU600N65S3R0 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU600N65S3R0

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.67
75+
$1.333
150+
$1.166
525+
$0.905
1050+
$0.714
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCU600N65S3R0
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    SUPERFET3 650V IPAK PKG
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    FCU600N65S3R0.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    54W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Muud nimed
    FCU600N65S3R0-ND
    FCU600N65S3R0OS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    Not Applicable
  • Juhtiv vaba staatus
    Lead free
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    465pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCU600N65S3R0" seotud tooted.
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU-7

FCU-7

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
CSD18542KTT

CSD18542KTT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLL2703TR

IRLL2703TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FCU-2

FCU-2

Kirjeldus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTD4865N-1G

NTD4865N-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.