Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDA24N50
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4358519FDA24N50 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA24N50

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.15
10+
$3.701
450+
$2.739
900+
$2.221
1350+
$2.073
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDA24N50
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 12A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    270W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4150pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 24A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)
FDA4100LV

FDA4100LV

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA217STR

FDA217STR

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA215STR

FDA215STR

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA2100BLV-T

FDA2100BLV-T

Kirjeldus: IC AMP PWM DGTL 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA24N40F

FDA24N40F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA450LV-T

FDA450LV-T

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA2100LV

FDA2100LV

Kirjeldus: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA28N50

FDA28N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA215

FDA215

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA24N50F

FDA24N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA450LV

FDA450LV

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA33N25

FDA33N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA2100LV-T

FDA2100LV-T

Kirjeldus: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA2712

FDA2712

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA28N50F

FDA28N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA217S

FDA217S

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA38N30

FDA38N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA217

FDA217

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA215S

FDA215S

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi