Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDA38N30
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6494363FDA38N30 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA38N30

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.24
10+
$2.895
450+
$2.142
900+
$1.737
1350+
$1.621
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDA38N30
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 300V TO-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDA38N30.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 19A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    312W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    300V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 300V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDA38N30" seotud tooted.
FDA24N50

FDA24N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA217STR

FDA217STR

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
FDA450LV

FDA450LV

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FDA59N25

FDA59N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FDA28N50F

FDA28N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA450LV-T

FDA450LV-T

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FDA620007

FDA620007

Kirjeldus: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA4100LV

FDA4100LV

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FDA59N30

FDA59N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA620005

FDA620005

Kirjeldus: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA2712

FDA2712

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA24N40F

FDA24N40F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA217

FDA217

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
FDA620006

FDA620006

Kirjeldus: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA217S

FDA217S

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
FDA50N50

FDA50N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA28N50

FDA28N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA24N50F

FDA24N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.