Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Isolaatorid - väravadraiverid > FDA217STR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2661617

FDA217STR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.848
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDA217STR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - varustus
    -
  • Pinge - isolatsioon
    3750Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.26V
  • Tehnoloogia
    Optical Coupling
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SMD
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    -
  • Impulsi laiuse moonutus (max)
    -
  • Paljundamise viivitus tpLH / tpHL (max)
    2ms, 0.5ms
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SMD, Gull Wing
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Kanalite arv
    2
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    5 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 2 Channel 8-SMD
  • Praegune - Peak väljund
    -
  • Praegune - väljund kõrge, madal
    -
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    5mA
  • Ühine seisund Transientne immuunsus (min)
    -
  • Kinnitused
    EN, IEC, TUV
FDA33N25

FDA33N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA24N50F

FDA24N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA215STR

FDA215STR

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA38N30

FDA38N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA2100BLV-T

FDA2100BLV-T

Kirjeldus: IC AMP PWM DGTL 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA20N50F

FDA20N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA2712

FDA2712

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA217

FDA217

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA2100BLV

FDA2100BLV

Kirjeldus: IC AMP PWM DGTL 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA2100LV-T

FDA2100LV-T

Kirjeldus: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA215

FDA215

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA4100LV

FDA4100LV

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA217S

FDA217S

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA24N50

FDA24N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA215S

FDA215S

Kirjeldus: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
FDA28N50

FDA28N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA28N50F

FDA28N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Kirjeldus: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA2100LV

FDA2100LV

Kirjeldus: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
FDA24N40F

FDA24N40F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi