Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTB50N65FL2WG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1641787NGTB50N65FL2WG piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
90+
$5.801
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTB50N65FL2WG
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 50A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTB50N65FL2WG.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 50A
  • Testimise tingimus
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    100ns/237ns
  • Switching Energy
    1.5mJ (on), 460µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247-3
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    94ns
  • Võimsus - maks
    417W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    19 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    220nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 650V 100A 417W Through Hole TO-247-3
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    200A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTB50N65FL2WG" seotud tooted.
NGTB50N120FL2WAG

NGTB50N120FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Kirjeldus: 650V/60A IGBT FSII

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Kirjeldus: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 535W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 223W TO247

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB45N60SWG

NGTB45N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 45A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60FLWG

NGTB50N60FLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Kirjeldus: IGBT 75A 600V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N65FL2WAG

NGTB75N65FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60FL2WG

NGTB50N60FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Kirjeldus: IGBT 50A 600V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.