Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTD13T65F2SWK
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3627584

NGTD13T65F2SWK

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
188+
$1.968
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTD13T65F2SWK
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTD13T65F2SWK.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 30A
  • Testimise tingimus
    -
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    -
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    39 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    120A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTD13T65F2SWK" seotud tooted.
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Kirjeldus: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N65FL2WAG

NGTB75N65FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Kirjeldus: IGBT 75A 600V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Kirjeldus: 650V/60A IGBT FSII

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.