Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTB75N65FL2WAG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3411420

NGTB75N65FL2WAG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
90+
$5.405
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTB75N65FL2WAG
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTB75N65FL2WAG.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Testimise tingimus
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    23ns/157ns
  • Switching Energy
    610µJ (on), 1.2mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247-4L
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    90ns
  • Võimsus - maks
    536W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-4
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Field Stop
  • Väravad
    310nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    200A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    200A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTB75N65FL2WAG" seotud tooted.
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Kirjeldus: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Kirjeldus: IGBT 50A 600V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 298W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Kirjeldus: 650V/60A IGBT FSII

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 75A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Kirjeldus: IGBT 75A 600V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.