Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTD28T65F2WP
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1889109

NGTD28T65F2WP

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
88+
$4.47
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTD28T65F2WP
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTD28T65F2WP.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Testimise tingimus
    -
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    -
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    Die
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    4 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    200A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTD28T65F2WP" seotud tooted.
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 15A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.