Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTG12N60TF1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2420735NGTG12N60TF1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.17
30+
$1.838
120+
$1.566
510+
$1.286
1020+
$1.066
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTG12N60TF1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTG12N60TF1G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.6V @ 15V, 12A
  • Testimise tingimus
    300V, 15A, 30 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    55ns/200ns
  • Switching Energy
    -
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    54W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3 Full Pack
  • Muud nimed
    NGTG12N60TF1GOS
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    -
  • Väravad
    84nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT 600V 24A 54W Through Hole
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    88A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    24A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTG12N60TF1G" seotud tooted.
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 50A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Kirjeldus: IGBT 650V 60A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Kirjeldus: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 15A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 40A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 250W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWG

Kirjeldus: IGBT 600V 100A 223W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.