Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > NGTD8R65F2SWK
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
650118

NGTD8R65F2SWK

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
536+
$0.559
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTD8R65F2SWK
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 650V DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    2.8V @ 30A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    650V
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Kiirus
    -
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    175°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    4 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 650V Surface Mount Die
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 650V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    -
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 15A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Kirjeldus: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Kirjeldus: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 250W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 650V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Kirjeldus: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Kirjeldus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi