Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C8M32S-7TCNTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4940398

AS4C8M32S-7TCNTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$4.467
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C8M32S-7TCNTR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    86-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (8M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Kellade sagedus
    143MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.5ns
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi