Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > AS4C8M32SA-7BCN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4864827AS4C8M32SA-7BCN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-7BCN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.22
10+
$6.642
25+
$6.504
50+
$6.481
190+
$5.814
380+
$5.638
570+
$5.362
1140+
$5.174
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C8M32SA-7BCN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C8M32SA-7BCN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    2ns
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    90-TFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Muud nimed
    1450-1422
    AS4C8M32SA-7BCN-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (8M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    143MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C8M32SA-7BCN" seotud tooted.
AS4PGHM3/86A

AS4PGHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.