Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C8M32SA-6BINTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4877111AS4C8M32SA-6BINTR piltAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-6BINTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$5.687
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C8M32SA-6BINTR
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C8M32SA-6BINTR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    2ns
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    90-TFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (8M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C8M32SA-6BINTR" seotud tooted.
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.