Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N4448HWS-13-F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
552911N4448HWS-13-F piltDiodes Incorporated

1N4448HWS-13-F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.053
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N4448HWS-13-F
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N4448HWS-13-F.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.25V @ 150mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    80V
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    4ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-76, SOD-323
  • Muud nimed
    1N4448HWS-13-FDI
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 80V 250mA Surface Mount
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100nA @ 80V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    250mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    3.5pF @ 0V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N4448HWS

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N4448HWS-13-F" seotud tooted.
1N4448 TR

1N4448 TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Tootjad: Central Semiconductor Corp
Laos
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448-A

1N4448-A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.