Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N4448W-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
48445961N4448W-7 piltDiodes Incorporated

1N4448W-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N4448W-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1N4448W-7.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    250mA
  • Pinge - jaotus
    SOD-123
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Cut Tape (CT)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    SOD-123
  • Muud nimed
    1N4448W
    1N4448W7
    1N4448WCT
    1N4448WCT-ND
    1N4448WDICT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    4ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    1N4448W-7
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOD-123
  • Dioodide seadistamine
    2.5µA @ 75V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.25V @ 150mA
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    75V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N4448W-7" seotud tooted.
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448WS

1N4448WS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-TP

1N4448W-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448WQ-7-F

1N4448WQ-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.