Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N4448W-7-F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
40213631N4448W-7-F piltDiodes Incorporated

1N4448W-7-F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.034
6000+
$0.03
15000+
$0.026
30000+
$0.024
75000+
$0.021
150000+
$0.018
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N4448W-7-F
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N4448W-7-F.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.25V @ 150mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    75V
  • Pakkuja seadme pakett
    SOD-123
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    4ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOD-123
  • Muud nimed
    1N4448W-FDITR
    1N4448W7F
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOD-123
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2.5µA @ 75V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    250mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N4448W

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N4448W-7-F" seotud tooted.
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448W-TP

1N4448W-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448WS

1N4448WS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4448WQ-7-F

1N4448WQ-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4448WS RRG

1N4448WS RRG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.