Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN1002UCA6-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1147272

DMN1002UCA6-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.15
10+
$1.005
100+
$0.775
500+
$0.574
1000+
$0.459
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN1002UCA6-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN1002UCA6-7.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Võimsus - maks
    1.1W
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    6-SMD, No Lead
  • Muud nimed
    DMN1002UCA6-7DIDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68.6nC @ 4V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.1W Surface Mount
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN1002UCA6-7" seotud tooted.
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH30V SC-59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH30V SC-59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.