Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN1006UCA6-7

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

1808578

DMN1006UCA6-7 pilt

Diodes Incorporated

DMN1006UCA6-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.328

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

DMN1006UCA6-7
Tootja / bränd

Diodes Incorporated
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

DMN1006UCA6-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA
Pakkuja seadme pakett

X3-DSN2718-6
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Võimsus - maks

2.4W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

6-SMD, No Lead
Muud nimed

DMN1006UCA6-7-ND
DMN1006UCA6-7DITR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

32 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon

Standard
Vooluallikas (Vdss)

-
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2.4W Surface Mount X3-DSN2718-6
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

-

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "DMN1006UCA6-7" seotud tooted.

DMN1033UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1019UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1008UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH30V SC-59

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1032UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1004UFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1019UVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1019USN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1019USN-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1029UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1004UFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1019UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1008UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH30V SC-59

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1016UCB6-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN100-7-F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1003UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN1029UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.