Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN1008UFDF-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
453919DMN1008UFDF-7 piltDiodes Incorporated

DMN1008UFDF-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.163
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN1008UFDF-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH30V SC-59
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN1008UFDF-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    700mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    995pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.4nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 12V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12.2A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN1008UFDF-7" seotud tooted.
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH30V SC-59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.