Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3010LFG-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2335350DMN3010LFG-7 piltDiodes Incorporated

DMN3010LFG-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.228
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3010LFG-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3010LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    900mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    DMN3010LFG-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2075pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 30A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3010LFG-7" seotud tooted.
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.