Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3010LSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2666072DMN3010LSS-13 piltDiodes Incorporated

DMN3010LSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.33
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3010LSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3010LSS-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 16A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2096pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43.7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3010LSS-13" seotud tooted.
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Kirjeldus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.