Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3016LFDE-13

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4009383

DMN3016LFDE-13 pilt

Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

10000+

$0.117

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

DMN3016LFDE-13
Tootja / bränd

Diodes Incorporated
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

DMN3016LFDE-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

U-DFN2020-6 (Type E)
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Voolukatkestus (max)

730mW (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

6-UDFN Exposed Pad
Muud nimed

DMN3016LFDE-13DI
DMN3016LFDE-13DI-ND
DMN3016LFDE-13DITR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

16 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1415pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "DMN3016LFDE-13" seotud tooted.

DMN3018SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3015LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3018SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3018SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3010LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LDN-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3018SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

DMN3010LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.