Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN3018SSD-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6878751DMN3018SSD-13 piltDiodes Incorporated

DMN3018SSD-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.209
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3018SSD-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3018SSD-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 10A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.5W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMN3018SSD-13DITR
    DMN3018SSD13
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    697pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.7A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3018SSD-13" seotud tooted.
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.