Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3018SSS-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2765639DMN3018SSS-13 piltDiodes Incorporated

DMN3018SSS-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.123
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3018SSS-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3018SSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.4W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMN3018SSS-13DITR
    DMN3018SSS13
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    697pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3018SSS-13" seotud tooted.
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.