Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1GWF-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2393979US1GWF-7 piltDiodes Incorporated

US1GWF-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.138
6000+
$0.13
15000+
$0.121
30000+
$0.111
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1GWF-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    US1GWF-7.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.25V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    SOD-123F
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    35ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOD-123F
  • Muud nimed
    US1GWF-7DITR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-123F
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "US1GWF-7" seotud tooted.
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-13

US1J-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1G-TP

US1G-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GFA

US1GFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J/1

US1J/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
US1G/1

US1G/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.