Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1J/1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3768069US1J/1 piltVishay Semiconductor Diodes Division

US1J/1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1J/1
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1.US1J/1.pdf
    2.US1J/1.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AC (SMA)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    Q1152372A
    US1J
    US1J-ND
    US1J/1/T
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    75ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Partii number
    US1J/1
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dioodide seadistamine
    10µA @ 600V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.7V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    600V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "US1J/1" seotud tooted.
US1GWF-7

US1GWF-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1JFA

US1JFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1J-13

US1J-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.