Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1J M2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3764899US1J M2G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

US1J M2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.064
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1J M2G
  • Tootja / bränd
    Taiwan Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    US1J M2G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    75ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    US1J M2G-ND
    US1JM2G
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "US1J M2G" seotud tooted.
US1J-13-F

US1J-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-13

US1J-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1GFA

US1GFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
US1G-TP

US1G-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1G/1

US1G/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1J/1

US1J/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.