Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN3A01ZTA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2545562ZXMN3A01ZTA piltDiodes Incorporated

ZXMN3A01ZTA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN3A01ZTA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN3A01ZTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-89
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    970mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-243AA
  • Muud nimed
    ZXMN3A01ZTADIDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    186pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 2.2A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount SOT-89
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN3A01ZTA" seotud tooted.
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.