Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ZXMN3A04DN8TA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6300409ZXMN3A04DN8TA piltDiodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.06
10+
$1.857
100+
$1.493
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN3A04DN8TA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN3A04DN8TA.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.81W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    ZXMN3A04DN8CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1890pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.5A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN3A04DN8TA" seotud tooted.
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.