Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > NSB8JTHE3_A/P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5394217NSB8JTHE3_A/P piltElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8JTHE3_A/P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.662
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSB8JTHE3_A/P
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NSB8JTHE3_A/P.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 8A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    8A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSB8JTHE3_A/P" seotud tooted.
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GTHE3/45

NSB8GTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3/45

NSB8JTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GTHE3_A/P

NSB8GTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GT-E3/81

NSB8GT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3_A/I

NSB8JTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JT-E3/81

NSB8JT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GTHE3/81

NSB8GTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GTHE3_A/I

NSB8GTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3/81

NSB8JTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.