Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > NSB8KTHE3/81
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6796725NSB8KTHE3/81 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8KTHE3/81

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSB8KTHE3/81
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.NSB8KTHE3/81.pdf
    2.NSB8KTHE3/81.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 8A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    800V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 800V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    8A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    NSB8K

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSB8KTHE3/81" seotud tooted.
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3_A/I

NSB8JTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JT-E3/81

NSB8JT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8GTHE3_A/P

NSB8GTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3_A/P

NSB8JTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3/81

NSB8JTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8JTHE3/45

NSB8JTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB9703

NSB9703

Kirjeldus: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Tootjad: Desco
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.