Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2316BDS-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2581902

SI2316BDS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.25
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2316BDS-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2316BDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2316BDS-T1-GE3TR
    SI2316BDST1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2316BDS-T1-GE3" seotud tooted.
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.