Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2319CDS-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3217865

SI2319CDS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.70
10+
$0.592
100+
$0.444
500+
$0.326
1000+
$0.252
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI2319CDS-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI2319CDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    77 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SI2319CDS-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    595pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI2319CDS-T1-GE3" seotud tooted.
SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2321-TP

SI2321-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.