Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2319DS-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5062195

SI2319DS-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.317

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI2319DS-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI2319DS-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

SOT-23-3 (TO-236)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 3A, 10V
Voolukatkestus (max)

750mW (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muud nimed

SI2319DS-T1-E3TR
SI2319DST1E3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

33 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

470pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 40V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI2319DS-T1-E3" seotud tooted.

SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2321-TP

SI2321-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.