Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4384DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2978021

SI4384DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.38
10+
$1.22
100+
$0.964
500+
$0.748
1000+
$0.59
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4384DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4384DY-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.47W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4384DY-T1-E3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4384DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362-C2A-GMR

SI4362-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362-B1B-FMR

SI4362-B1B-FMR

Kirjeldus: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362-C2A-GM

SI4362-C2A-GM

Kirjeldus: EZRADIOPRO SUB GHZ RECEIVER, -11

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4362-B1B-FM

SI4362-B1B-FM

Kirjeldus: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.