Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4388DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2206898

SI4388DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4388DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4388DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 8A, 10V
  • Võimsus - maks
    3.3W, 3.5W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4388DY-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    946pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.7A, 11.3A
  • Baasosa number
    SI4388

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4388DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4378DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4378DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.