Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4398DY-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2230299

SI4398DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4398DY-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4398DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 25A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.6W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4398DY-T1-E3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

5620pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 20V 19A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4398DY-T1-E3" seotud tooted.

SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4384DY-T1-E3

SI4384DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.