Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4401BDY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4767189

SI4401BDY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.806
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4401BDY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4401BDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4401BDY-T1-E3TR
    SI4401BDYT1E3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8.7A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4401BDY-T1-E3" seotud tooted.
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4404DY-T1-E3

SI4404DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4398DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.