Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4447DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5090816

SI4447DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.99
10+
$0.871
100+
$0.672
500+
$0.498
1000+
$0.398
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4447DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4447DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72 mOhm @ 4.5A, 15V
  • Voolukatkestus (max)
    1.1W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4447DY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    805pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    15V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4447DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.