Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > RF / IF ja RFID > RF transiiveri mikrosüsteemid > SI4438-C2A-GMR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1122736

SI4438-C2A-GMR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$2.181
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4438-C2A-GMR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - varustus
    1.8 V ~ 3.6 V
  • Tüüp
    TxRx + MCU
  • Seeria
    -
  • Jadaliidesed
    SPI
  • Tundlikkus
    -124dBm
  • RF perekond / standard
    General ISM < 1GHz
  • Protokoll
    -
  • Võimsus
    20dBm (Max)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    20-VFQFN Exposed Pad
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Modulatsioon
    FSK, GFSK, GMSK, OOK
  • Mälu suurus
    -
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • GPIO
    4
  • Sagedus
    425MHz ~ 525MHz
  • Täpsem kirjeldus
    IC RF TxRx + MCU General ISM
  • Andmeedastuskiirus (max)
    500kbps
  • Praegune - edastamine
    75mA
  • Praegune - vastuvõtmine
    13.7mA
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi