Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4505DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
896048

SI4505DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.644
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4505DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4505DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.2W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V, 8V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A, 3.8A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4505DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4542DY

SI4542DY

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4532DY

SI4532DY

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4539ADY-T1-GE3

SI4539ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.