Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4500BDY-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3555687

SI4500BDY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4500BDY-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4500BDY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Võimsus - maks

1.3W
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4500BDY-T1-E3CT
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
FET tüüp

N and P-Channel, Common Drain
FET funktsioon

Logic Level Gate
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

6.6A, 3.8A
Baasosa number

SI4500

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4500BDY-T1-E3" seotud tooted.

SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.