Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4500BDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1607091

SI4500BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4500BDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4500BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    1.3W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4500BDY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N and P-Channel, Common Drain
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.6A, 3.8A
  • Baasosa number
    SI4500

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4500BDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4511DY-T1-GE3

SI4511DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.