Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7113DN-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4822019

SI7113DN-T1-E3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7113DN-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$3.45

10+

$3.118

100+

$2.505

500+

$1.949

1000+

$1.614

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7113DN-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7113DN-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

134 mOhm @ 4A, 10V
Voolukatkestus (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakend

Original-Reel®
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Muud nimed

SI7113DN-T1-E3DKR
Töötemperatuur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

33 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1480pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

100V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 100V 13.2A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

13.2A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7113DN-T1-E3" seotud tooted.

SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7108DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7112DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7107DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7117DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7110DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7116DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7115DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.