Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7115DN-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5143876SI7115DN-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7115DN-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.44
10+
$2.208
100+
$1.774
500+
$1.38
1000+
$1.143
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7115DN-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7115DN-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295 mOhm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    52W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SI7115DN-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1190pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 150V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8.9A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7115DN-T1-E3" seotud tooted.
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7119DN-T1-E3

SI7119DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7120DN-T1-E3

SI7120DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.