Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7116DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

3990923

SI7116DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7116DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$1.135

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7116DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7116DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 16.4A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.5W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Muud nimed

SI7116DN-T1-GE3TR
SI7116DNT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

27 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 40V 10.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7116DN-T1-GE3" seotud tooted.

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7113DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7117DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7120DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7116DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7115DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7119DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.