Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7888DP-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4442096

SI7888DP-T1-E3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7888DP-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7888DP-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7888DP-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® SO-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 12.4A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.8W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® SO-8
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7888DP-T1-E3" seotud tooted.

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7872DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7882DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7898DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.