Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7892BDP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5515598SI7892BDP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7892BDP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.863
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7892BDP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7892BDP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.8W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7892BDP-T1-GE3TR
    SI7892BDPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3775pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 15A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7892BDP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.