Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI7900AEDN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4839999

SI7900AEDN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7900AEDN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.602

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7900AEDN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8 Dual
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Võimsus - maks

1.5W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8 Dual
Muud nimed

SI7900AEDN-T1-GE3TR
SI7900AEDNT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

33 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET funktsioon

Logic Level Gate
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

6A
Baasosa number

SI7900

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7900AEDN-T1-GE3" seotud tooted.

SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7904DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7905DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7898DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7909DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7888DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.