Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI7998DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
883377SI7998DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7998DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.91
10+
$1.689
100+
$1.335
500+
$1.035
1000+
$0.817
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7998DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7998DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Võimsus - maks
    22W, 40W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muud nimed
    SI7998DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    25A, 30A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7998DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.